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| 设备类型： |
刻蚀工艺 |
所属平台： |
微加工与器件平台 |
| 状态： |
正常
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管理员： |
莫观孔(moguankong), 0769-89136291+8009 |
| 备注： |
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| 用途： |
Ar离子束聚焦后轰击样品表面，通过控制每位点的停留时间，从而实现控制不同点的刻蚀量，从而达到提高薄膜均匀性的效果。
主要应用于金属膜、压电膜以及介质膜的膜厚均匀性修调，尤其是BAW和SAW器件的膜层修调。 |
| 技术指标： |
wafer尺寸（需整片）：4、6及8 inch，转换wafer尺寸较复杂，最好做8寸。
离子束能力：~1400V
半小时起约（注：若设备没有加工过的膜需要重新建立Recipe，预约前请联系设备负责人）
SiO2、AlN及ScAlN等膜的均匀性（8寸）：膜厚可通过光学测试，当膜厚均匀性1um左右，且膜厚前值STD<10nm，去除50-80nm左右后，STD可以达到1nm。膜厚越薄前值越好，修膜后的STD会相对减小。
金属膜（8寸）：目前平台只能用四探针测试方块电阻，然后再根据电阻率换算膜厚，测量的精度是1.2nm，所以目前对于200nm，且前值STD<5nm的金属膜，修膜后STD可在1.2nm左右。 |
| 开放时间： |
【星期日】08:30-23:45;
【星期一】08:30-23:45;
【星期二】08:30-23:45;
【星期三】08:30-23:45;
【星期四】08:30-23:45;
【星期五】08:30-23:45;
【星期六】08:30-23:45 |
| 计费单价： |
2000.00 元/小时 (0.00 元/件) |
培训计费单价： |
0.00 元/人次
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| 人工费单价： |
200.00 元/小时 |
违约计费单价： |
2000.00 元/小时 |
| 最后修改： |
2024-07-19 17:19:05 |
修改人： |
莫观孔(moguankong) |