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| 设备类型： |
刻蚀工艺 |
所属平台： |
微加工与器件平台 |
| 状态： |
正常
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管理员： |
贺子健(hezijian), 0769-89136291+8002 |
| 备注： |
1.3个月未使用需重新培训；
2.如客户采用委外加工方式，根据加工工艺和片数价格另议；
3.特殊腐蚀工艺价格另议；
4.HF气相刻蚀机所在位置：松山湖材料实验室（老园区）微加工与器件平台 刻蚀一区108房
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| 用途： |
采用气相HF气体进行无损刻蚀，用于MEMS 器件的悬臂释放，用于各类SiO2膜层的去除. |
| 技术指标： |
工艺气体：HF , N2，H2
装片： 8英寸，向下兼容；
基底刻蚀温度：5℃-40℃；
蚀刻材料：SiO2 如 PECVD、 LPCVD 、TEOS 、热氧 等；
悬臂释放推荐掩膜：LPSiN、AL、Au、W、TiW、SiC、Cu
悬臂工艺的SiO2释放速率是500nm/min,均匀性小于5%
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| 开放时间： |
【星期日】08:30-23:45;
【星期一】08:30-23:45;
【星期二】08:30-23:45;
【星期三】08:30-23:45;
【星期四】08:30-23:45;
【星期五】08:30-23:45;
【星期六】08:30-23:45 |
| 计费单价： |
1200.00 元/小时 (0.00 元/件) |
培训计费单价： |
2000.00 元/人次
(需要培训)
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| 人工费单价： |
200.00 元/小时 |
违约计费单价： |
1200.00 元/小时 |
| 最后修改： |
2025-01-15 14:53:22 |
修改人： |
贺子健(hezijian) |