|
 |
|
 |
| 设备类型： |
薄膜工艺 |
所属平台： |
微加工与器件平台 |
| 状态： |
正常
|
管理员： |
贾晓云(jiaxiaoyun), 0769-89136291+8008 |
| 备注： |
【氧化物为主，待更新】
1.预约时需备注清楚样品尺寸、目标工艺、Cycle数或厚度、工艺温度；无备注预约单设备管理员有权否决；
2.带胶样品、带气泡样品、易破碎样品、含高温挥发物质的样品禁止工艺；
3.如需更换源瓶进行其它前驱体工艺，请提前联系设备负责人协调时间，并且客户需承担源瓶更换所耗费机时；
4.设备使用常规温度段（150~380℃ ）内的升降温时间直接计入计费机时；设备使用特殊温度段（＜150℃或＞380℃）须提前咨询确认是否可行，产生的人工和耗时需计费；
5.目前开放工艺：Al2O3、HfO2、ZrO2、ZnO，详情敬请咨询；
6.2022年12月起，ALD 目前所有的加热源，Hf Zr Si Ta 等，按实际产生，1元/cycle 计费；不收费的包括客户专用的已经有物料申领的、 液态源
|
| 用途： |
【氧化物为主，待更新】
1）主要完成Al2O3、ZnO、HfO2、ZrO2、SiO2 等氧化物薄膜的生长
2）可兼容AlN等氮化物薄膜的生长
3）器件中介质膜、导电膜、光学膜、钝化层、黏附层、缓冲层以及其他功能薄膜的生长 |
| 技术指标： |
【氧化物为主，待更新】
1）样品尺寸：8"及以下
2）温度：常规温度段：150℃~380℃；低温段：<150℃；高温段：380~450℃
3）功能模块：Plasma、Ozone
4）源配置：铝（TMA）、锌（DEZ）、氧（H2O）、铪（TEMAH）、锆（TEMAZ）硅（BDEAS）
5) 气路配置：PN2、O2、NH3、H2、Ar
6) 成膜均匀性：≤2% |
| 开放时间： |
【星期日】08:30-23:45;
【星期一】08:30-23:45;
【星期二】08:30-23:45;
【星期三】08:30-23:45;
【星期四】08:30-23:45;
【星期五】08:30-23:45;
【星期六】08:30-23:45 |
| 计费单价： |
1000.00 元/小时 (0.00 元/件) |
培训计费单价： |
2000.00 元/人次
(需要培训)
|
| 人工费单价： |
200.00 元/小时 |
违约计费单价： |
1000.00 元/小时 |
| 最后修改： |
2024-07-19 16:49:09 |
修改人： |
贾晓云(jiaxiaoyun) |