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| 设备类型： |
刻蚀工艺 |
所属平台： |
微加工与器件平台 |
| 状态： |
正常
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管理员： |
唐延华(tangyanhua), 0769-89136291+8009 |
| 备注： |
起约时间半小时；
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| 用途： |
本设备主要通过气体放电产生大量化学活性的等离子体，利用离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀。同时，离子在自偏压电场中获得能量，对材料表面产生物理轰击作用。
可用于刻蚀SiO2、SiN、Si等材料；材料表面O2/Ar/N2/H2 Plasma处理;
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| 技术指标： |
RF功率≤600W；
样品尺寸：8inch，向下兼容;
载片方式：石墨压环（可通背氦）、石墨托盘（无背氦）；
可通入气体：O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8、Ar、N2、He、H2；
刻蚀材料：SiO2、SiNx、Si；
Chiller温度控制：0-60℃;
刻蚀能力：
①刻蚀均匀性（6inch）＜5%；
②SiO2：刻蚀速率 20-60nm/min；侧壁形貌 ≈85°；SiO2/PR 选择比＞2；
③SiNx：刻蚀速率 50-100nm/min；侧壁形貌 ≈85°；SiNx/PR 选择比＞1.5；
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| 开放时间： |
【星期日】08:30-23:45;
【星期一】08:30-23:45;
【星期二】08:30-23:45;
【星期三】08:30-23:45;
【星期四】08:30-23:45;
【星期五】08:30-23:45;
【星期六】08:30-23:45 |
| 计费单价： |
1000.00 元/小时 (1000.00 元/件) |
培训计费单价： |
2000.00 元/人次
(需要培训)
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| 人工费单价： |
200.00 元/小时 |
违约计费单价： |
1000.00 元/小时 |
| 最后修改： |
2024-07-22 09:54:10 |
修改人： |
唐延华(tangyanhua) |