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| 设备类型： |
刻蚀工艺 |
所属平台： |
微加工与器件平台 |
| 状态： |
正常
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管理员： |
易婷(yiting), 0769-89136291+8002 |
| 备注： |
该机台为Bosch 工艺，刻蚀过程中不能暴露金属，半小时起约。
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| 用途： |
主要用于硅材料的高速，深度，高深宽比刻蚀。比如：三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺；MEMS电容式惯性传感器；MEMS器件的深孔或深槽刻蚀等。 |
| 技术指标： |
该机台具备双射频源（13.56M）以及低射频（400K）下电极，气体可从中间及边缘进气，参数可设置起始值。
1. ICP主射频功率：500-2800W；副射频功率：500-2800W；下电极LF功率：40-400W；匹配稳定时间＜3 s ；
2. 工艺气体：C4F8、CF4、SF6、O2和Ar；
3. 样品尺寸：8英寸，可向下兼容；
4. 下电极温度范围：-20～40℃；
5. 刻蚀材料：用于硅片的高深比刻蚀，推荐PR掩膜；
6. 刻蚀能力：（1）工艺兼容性良好，基础工艺可兼容50μm-1.2mm图形，角度垂直，刻蚀速率＞8 um/min，与PR选择比＞70；
（2）高深宽比， TSV 10μm可用PR掩膜刻蚀150μm，TSV 1μm 可用PR掩膜刻蚀15μm，角度垂直；
（3）小线宽极限刻蚀： Trench
0.6μm可达到深宽比＞50
7.刻蚀均匀性：5%
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| 开放时间： |
【星期日】08:30-23:30;
【星期一】08:30-23:45;
【星期二】08:30-23:45;
【星期三】08:30-23:45;
【星期四】08:30-23:30;
【星期五】08:30-23:45;
【星期六】08:30-23:30 |
| 计费单价： |
1500.00 元/小时 (0.00 元/件) |
培训计费单价： |
2000.00 元/人次
(需要培训)
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| 人工费单价： |
200.00 元/小时 |
违约计费单价： |
1500.00 元/小时 |
| 最后修改： |
2024-04-19 15:22:36 |
修改人： |
易婷(yiting) |