设备信息
感应耦合等离子体刻蚀-ICP07 编号: WJG-KS-18 / 型号: GSE C200
设备类型: 刻蚀工艺 所属平台: 微加工与器件平台
状态: 正常 管理员: 俞程(yucheng), 0769-89136291+8002
备注:
用途: 主要用于各种金属基材料的刻蚀,例如:
射频MEMS器件: BAW, FBAR (电极, 台面等)等刻蚀;
新材料刻蚀工艺开发 (例如LiNbO3, LiTaO3等);
技术指标: ICP功率:≤1000W; RF功率:≤600W;
装片:2英寸、4英寸、6英寸和8英寸整片;
基底刻蚀温度:-20℃-40℃;
主要刻蚀材料为常见金属以及金属基材料,如Cr、W、Al、TiO2、Ta2O5、AlN、Mo、LN等

开放时间: 【星期日】09:15-22:00;
【星期一】10:00-23:00;
【星期二】09:15-23:00;
【星期三】09:15-23:00;
【星期四】09:15-23:00;
【星期五】09:15-23:00;
【星期六】09:15-23:00
计费单价: 1200.00 元/小时 (0.00 元/件) 培训计费单价: 2000.00 元/人次 (需要培训)
人工费单价: 200.00 元/小时 违约计费单价: 1200.00 元/小时
最后修改: 2024-01-02 15:52:07 修改人: 俞程(yucheng)